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उत्पाद विवरण:
भुगतान & नौवहन नियमों:
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प्रकार: | ES2A | पैकेज: | एसएमबी |
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आईआर (uA): | 5uA | VF (वी): | 0.95V |
VRRM (वी): | 50V | IFSM (ए): | 50A |
Trr (एनएस): | 35ns | आईओ (ए): | 2A |
हाई लाइट: | तेजी से वसूली करनेवाला डायोड,उच्च वोल्टेज तेजी से वसूली डायोड |
ES2A ES2B ES2C ES2D ES2E ES2G ES2J फास्ट रिकवरी डायोड SMB DO-212AA
प्रकार | पैकेज | VRRM (वी) | आईओ (ए) | IFSM (ए) | Trr (एनएस) | VF (वी) | आईआर (uA) |
ES2A | एसएमबी | 50 | 2 | 50 | 35 | 0.95 | 5 |
ES2B | एसएमबी | 100 | 2 | 50 | 35 | 0.95 | 5 |
ES2C | एसएमबी | 150 | 2 | 50 | 35 | 0.95 | 5 |
ES2D | एसएमबी | 200 | 2 | 50 | 35 | 0.95 | 5 |
ES2E | एसएमबी | 300 | 2 | 50 | 35 | 1.25 | 5 |
ES2G | एसएमबी | 400 | 2 | 50 | 35 | 1.25 | 5 |
ES2J | एसएमबी | 600 | 2 | 50 | 35 | 1.7 | 5 |
ER2A | एसएमबी | 50 | 2 | 50 | 35 | 0.95 | 5 |
ER2B | एसएमबी | 100 | 2 | 50 | 35 | 0.95 | 5 |
ER2C | एसएमबी | 150 | 2 | 50 | 35 | 0.95 | 5 |
ER2D | एसएमबी | 200 | 2 | 50 | 35 | 0.95 | 5 |
ER2E | एसएमबी | 300 | 2 | 50 | 35 | 1.25 | 5 |
ER2G | एसएमबी | 400 | 2 | 50 | 35 | 1.25 | 5 |
ER2J | एसएमबी | 600 | 2 | 50 | 35 | 1.7 | 5 |
Fast recovery diode (FRD) is a kind of semiconductor diode with good switching characteristics and short reverse recovery time, which is mainly used in switching power supply, PWM pulse width modulator, inverter and other electronic circuits, as a high frequency rectifier diode, secondary diode or damping diode. फास्ट रिकवरी डायोड (FRD) एक तरह का सेमीकंडक्टर डायोड है जिसमें अच्छी स्विचिंग विशेषताओं और शॉर्ट रिवर्स रिकवरी टाइम होता है, जो मुख्य रूप से एक उच्च आवृत्ति वाले रेक्टिफायर डायोड के रूप में, पॉवर सप्लाई, पीडब्लूएम पल्स चौड़ाई न्यूनाधिक, इन्वर्टर और अन्य इलेक्ट्रॉनिक सर्किट को स्विच करने में उपयोग किया जाता है, माध्यमिक डायोड या भिगोना डायोड। The internal structure of fast recovery diode is different from ordinary p-junction diode. फास्ट रिकवरी डायोड की आंतरिक संरचना साधारण पी-जंक्शन डायोड से अलग है। It belongs to PIN junction diode, that is, base region I is added between p-type silicon material and n-type silicon material to form PIN silicon chip. यह पिन जंक्शन डायोड से संबंधित है, अर्थात, आधार क्षेत्र I को पिन सिलिकॉन चिप बनाने के लिए पी-प्रकार सिलिकॉन सामग्री और एन-प्रकार सिलिकॉन सामग्री के बीच जोड़ा जाता है। Because the base area is very thin and the reverse recovery charge is very small, the reverse recovery time of the fast recovery diode is short, the forward voltage drop is low, and the reverse breakdown voltage (withstand voltage value) is high. क्योंकि बेस क्षेत्र बहुत पतला है और रिवर्स रिकवरी चार्ज बहुत छोटा है, फास्ट रिकवरी डायोड का रिवर्स रिकवरी समय कम है, आगे वोल्टेज ड्रॉप कम है, और रिवर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (वोल्टेज मान का सामना करना) अधिक है।
व्यक्ति से संपर्क करें: Jenny
दूरभाष: 86-15818536604